NZT751

Attēli ir tikai norādei

Specifikācijas

Kategorijas
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
4 A
DC Collector/Base Gain hfe Min
75
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
75 MHz
Height
1.6 mm
Length
6.5 mm
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
SOT-223-4
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
1.2 W
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
NZT751
Technology
SI
Transistor Polarity
PNP
Unit Weight
Width
3.56 mm

Jaunākās atsauksmes

goods very well received very good quality

fast delivery, item as described, thanks!!

Perfectly.

Good product. Very small and well built. Ii is not produce any kind of. nterferences RFi. Quick delivery

Fast shippng. Good quality. I recomend this seller.

Saistītie atslēgvārdi NZT7

  • NZT751 Integrēta
  • NZT751 RoHS
  • NZT751 PDF datu lapa
  • NZT751 Datu lapas
  • NZT751 Daļa. \ T
  • NZT751 Pirkt
  • NZT751 Izplatītājs
  • NZT751 PDF
  • NZT751 Komponents
  • NZT751 IC
  • NZT751 Lejupielādēt PDF failu
  • NZT751 Lejupielādēt datu lapu
  • NZT751 Piegāde
  • NZT751 Piegādātājs
  • NZT751 Cena
  • NZT751 Datu lapas
  • NZT751 Attēls
  • NZT751 Bilde
  • NZT751 Inventarizācija
  • NZT751 Krājumi
  • NZT751 Oriģināls
  • NZT751 Lētākais
  • NZT751 Teicami
  • NZT751 Bez svina
  • NZT751 Specifikācija
  • NZT751 Karstie piedāvājumi
  • NZT751 Break cena
  • NZT751 Tehniskie dati