FF200R12KS4

Daļas numurs
FF200R12KS4
Kategorijas
IGBT Modules
RoHS
Datu lapas
Apraksts
IGBT Modules 1200V 200A DUAL

Specifikācijas

Kategorijas
IGBT Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.2 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current at 25 C
275 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Height
30.5 mm
Length
106.4 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package / Case
62 mm
Packaging
Tray
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
1.4 kW
Product
IGBT Silicon Modules
Product Type
IGBT Modules
Technology
SI
Width
61.4 mm

Jaunākās atsauksmes

Yes, they are all here. :)

High Quality driver, works excellent. It came to Moscow for 7 days.

Shipping a little 1 weeks, normal packing, the procedure is complete.

The goods are OK, thank you dealers.

Shipping bіlshe mіsyatsya. Chi pratsyuyut not perevіryav.

Saistītie atslēgvārdi FF20

  • FF200R12KS4 Integrēta
  • FF200R12KS4 RoHS
  • FF200R12KS4 PDF datu lapa
  • FF200R12KS4 Datu lapas
  • FF200R12KS4 Daļa. \ T
  • FF200R12KS4 Pirkt
  • FF200R12KS4 Izplatītājs
  • FF200R12KS4 PDF
  • FF200R12KS4 Komponents
  • FF200R12KS4 IC
  • FF200R12KS4 Lejupielādēt PDF failu
  • FF200R12KS4 Lejupielādēt datu lapu
  • FF200R12KS4 Piegāde
  • FF200R12KS4 Piegādātājs
  • FF200R12KS4 Cena
  • FF200R12KS4 Datu lapas
  • FF200R12KS4 Attēls
  • FF200R12KS4 Bilde
  • FF200R12KS4 Inventarizācija
  • FF200R12KS4 Krājumi
  • FF200R12KS4 Oriģināls
  • FF200R12KS4 Lētākais
  • FF200R12KS4 Teicami
  • FF200R12KS4 Bez svina
  • FF200R12KS4 Specifikācija
  • FF200R12KS4 Karstie piedāvājumi
  • FF200R12KS4 Break cena
  • FF200R12KS4 Tehniskie dati