IKD03N60RFATMA1

Attēli ir tikai norādei

Specifikācijas

Kategorijas
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
5 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Height
2.41 mm
Length
6.73 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
53.6 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
RC
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP
Width
6.22 mm

Jaunākās atsauksmes

fast delivery, item as described, thanks!!

Takes 8 days to Japan. Good!

packed pretty good, all is ok,-seller.

Shipping a little 1 weeks, normal packing, the procedure is complete.

Thank you for the help in the selection of the correct driver, connect, works, not heated perfectly!

Saistītie atslēgvārdi IKD0

  • IKD03N60RFATMA1 Integrēta
  • IKD03N60RFATMA1 RoHS
  • IKD03N60RFATMA1 PDF datu lapa
  • IKD03N60RFATMA1 Datu lapas
  • IKD03N60RFATMA1 Daļa. \ T
  • IKD03N60RFATMA1 Pirkt
  • IKD03N60RFATMA1 Izplatītājs
  • IKD03N60RFATMA1 PDF
  • IKD03N60RFATMA1 Komponents
  • IKD03N60RFATMA1 IC
  • IKD03N60RFATMA1 Lejupielādēt PDF failu
  • IKD03N60RFATMA1 Lejupielādēt datu lapu
  • IKD03N60RFATMA1 Piegāde
  • IKD03N60RFATMA1 Piegādātājs
  • IKD03N60RFATMA1 Cena
  • IKD03N60RFATMA1 Datu lapas
  • IKD03N60RFATMA1 Attēls
  • IKD03N60RFATMA1 Bilde
  • IKD03N60RFATMA1 Inventarizācija
  • IKD03N60RFATMA1 Krājumi
  • IKD03N60RFATMA1 Oriģināls
  • IKD03N60RFATMA1 Lētākais
  • IKD03N60RFATMA1 Teicami
  • IKD03N60RFATMA1 Bez svina
  • IKD03N60RFATMA1 Specifikācija
  • IKD03N60RFATMA1 Karstie piedāvājumi
  • IKD03N60RFATMA1 Break cena
  • IKD03N60RFATMA1 Tehniskie dati