IKD04N60RAATMA1

Attēli ir tikai norādei

Specifikācijas

Kategorijas
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
8 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Packaging
Reel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
75 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
RC
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP

Jaunākās atsauksmes

Properly packed, not damaged. Works well, voltage levels are stable. Recommend.

fast delivery

goods delivered was отслеживался very fast (башкирию 7 days) excellent дошло seller in excellent condition all recommend!!!!

Thank you for the help in the selection of the correct driver, connect, works, not heated perfectly!

Long Service and Russia!

Saistītie atslēgvārdi IKD0

  • IKD04N60RAATMA1 Integrēta
  • IKD04N60RAATMA1 RoHS
  • IKD04N60RAATMA1 PDF datu lapa
  • IKD04N60RAATMA1 Datu lapas
  • IKD04N60RAATMA1 Daļa. \ T
  • IKD04N60RAATMA1 Pirkt
  • IKD04N60RAATMA1 Izplatītājs
  • IKD04N60RAATMA1 PDF
  • IKD04N60RAATMA1 Komponents
  • IKD04N60RAATMA1 IC
  • IKD04N60RAATMA1 Lejupielādēt PDF failu
  • IKD04N60RAATMA1 Lejupielādēt datu lapu
  • IKD04N60RAATMA1 Piegāde
  • IKD04N60RAATMA1 Piegādātājs
  • IKD04N60RAATMA1 Cena
  • IKD04N60RAATMA1 Datu lapas
  • IKD04N60RAATMA1 Attēls
  • IKD04N60RAATMA1 Bilde
  • IKD04N60RAATMA1 Inventarizācija
  • IKD04N60RAATMA1 Krājumi
  • IKD04N60RAATMA1 Oriģināls
  • IKD04N60RAATMA1 Lētākais
  • IKD04N60RAATMA1 Teicami
  • IKD04N60RAATMA1 Bez svina
  • IKD04N60RAATMA1 Specifikācija
  • IKD04N60RAATMA1 Karstie piedāvājumi
  • IKD04N60RAATMA1 Break cena
  • IKD04N60RAATMA1 Tehniskie dati