IKB20N60TAATMA1

Attēli ir tikai norādei

Specifikācijas

Kategorijas
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Continuous Collector Current Ic Max
40 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Height
4.57 mm
Length
10.31 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-263-3
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
156 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
TRENCHSTOP
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP
Width
9.45 mm

Jaunākās atsauksmes

Works. Find the price of this product is very good

goods delivered was отслеживался very fast (башкирию 7 days) excellent дошло seller in excellent condition all recommend!!!!

Works. Recommend

Still not tasted, looks good. Fast Shipping, very good Price. Like again

No problem, with no contact, selectively checked a few pieces, such as running

Saistītie atslēgvārdi IKB2

  • IKB20N60TAATMA1 Integrēta
  • IKB20N60TAATMA1 RoHS
  • IKB20N60TAATMA1 PDF datu lapa
  • IKB20N60TAATMA1 Datu lapas
  • IKB20N60TAATMA1 Daļa. \ T
  • IKB20N60TAATMA1 Pirkt
  • IKB20N60TAATMA1 Izplatītājs
  • IKB20N60TAATMA1 PDF
  • IKB20N60TAATMA1 Komponents
  • IKB20N60TAATMA1 IC
  • IKB20N60TAATMA1 Lejupielādēt PDF failu
  • IKB20N60TAATMA1 Lejupielādēt datu lapu
  • IKB20N60TAATMA1 Piegāde
  • IKB20N60TAATMA1 Piegādātājs
  • IKB20N60TAATMA1 Cena
  • IKB20N60TAATMA1 Datu lapas
  • IKB20N60TAATMA1 Attēls
  • IKB20N60TAATMA1 Bilde
  • IKB20N60TAATMA1 Inventarizācija
  • IKB20N60TAATMA1 Krājumi
  • IKB20N60TAATMA1 Oriģināls
  • IKB20N60TAATMA1 Lētākais
  • IKB20N60TAATMA1 Teicami
  • IKB20N60TAATMA1 Bez svina
  • IKB20N60TAATMA1 Specifikācija
  • IKB20N60TAATMA1 Karstie piedāvājumi
  • IKB20N60TAATMA1 Break cena
  • IKB20N60TAATMA1 Tehniskie dati