NZT660

Attēli ir tikai norādei

Specifikācijas

Kategorijas
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
550 mV
Configuration
Single
Continuous Collector Current
3 A
DC Current Gain hFE Max
300
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
75 MHz
Height
1.6 mm
Length
6.5 mm
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
SOT-223-4
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
2 W
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
NZT660
Technology
SI
Transistor Polarity
PNP
Unit Weight
Width
3.56 mm

Jaunākās atsauksmes

Everything as it is written in the description of the same deductible prodovtsu deserved 5

Quickly came to CET, all in one package. Look at the rules

Perfectly.

Goods came in two weeks. Well packed. Track number tracked

Shipping a little 1 weeks, normal packing, the procedure is complete.

Saistītie atslēgvārdi NZT6

  • NZT660 Integrēta
  • NZT660 RoHS
  • NZT660 PDF datu lapa
  • NZT660 Datu lapas
  • NZT660 Daļa. \ T
  • NZT660 Pirkt
  • NZT660 Izplatītājs
  • NZT660 PDF
  • NZT660 Komponents
  • NZT660 IC
  • NZT660 Lejupielādēt PDF failu
  • NZT660 Lejupielādēt datu lapu
  • NZT660 Piegāde
  • NZT660 Piegādātājs
  • NZT660 Cena
  • NZT660 Datu lapas
  • NZT660 Attēls
  • NZT660 Bilde
  • NZT660 Inventarizācija
  • NZT660 Krājumi
  • NZT660 Oriģināls
  • NZT660 Lētākais
  • NZT660 Teicami
  • NZT660 Bez svina
  • NZT660 Specifikācija
  • NZT660 Karstie piedāvājumi
  • NZT660 Break cena
  • NZT660 Tehniskie dati