NZT660A

Attēli ir tikai norādei

Specifikācijas

Kategorijas
Bipolar Transistors - BJT
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Configuration
Single
Continuous Collector Current
3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min
250
DC Current Gain hFE Max
550
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
75 MHz
Height
1.6 mm
Length
6.5 mm
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
SOT-223-4
Packaging
Reel
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
2 W
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
NZT660A
Technology
SI
Transistor Polarity
PNP
Unit Weight
Width
3.56 mm

Jaunākās atsauksmes

Product well received and very quickly for France, all is in order in perfect condition. Thank you. I recommend this company.

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

Shipping a little 1 weeks, normal packing, the procedure is complete.

Works. Recommend

Looks good

Saistītie atslēgvārdi NZT6

  • NZT660A Integrēta
  • NZT660A RoHS
  • NZT660A PDF datu lapa
  • NZT660A Datu lapas
  • NZT660A Daļa. \ T
  • NZT660A Pirkt
  • NZT660A Izplatītājs
  • NZT660A PDF
  • NZT660A Komponents
  • NZT660A IC
  • NZT660A Lejupielādēt PDF failu
  • NZT660A Lejupielādēt datu lapu
  • NZT660A Piegāde
  • NZT660A Piegādātājs
  • NZT660A Cena
  • NZT660A Datu lapas
  • NZT660A Attēls
  • NZT660A Bilde
  • NZT660A Inventarizācija
  • NZT660A Krājumi
  • NZT660A Oriģināls
  • NZT660A Lētākais
  • NZT660A Teicami
  • NZT660A Bez svina
  • NZT660A Specifikācija
  • NZT660A Karstie piedāvājumi
  • NZT660A Break cena
  • NZT660A Tehniskie dati