IKP08N65H5XKSA1

Attēli ir tikai norādei

Specifikācijas

Kategorijas
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
18 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Packaging
Tube
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
70 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
TRENCHSTOP 5 H5
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP
Unit Weight

Jaunākās atsauksmes

fast delivery, item as described, thanks!!

Takes 8 days to Japan. Good!

packed pretty good, all is ok,-seller.

Shipping a little 1 weeks, normal packing, the procedure is complete.

Thank you for the help in the selection of the correct driver, connect, works, not heated perfectly!

Saistītie atslēgvārdi IKP0

  • IKP08N65H5XKSA1 Integrēta
  • IKP08N65H5XKSA1 RoHS
  • IKP08N65H5XKSA1 PDF datu lapa
  • IKP08N65H5XKSA1 Datu lapas
  • IKP08N65H5XKSA1 Daļa. \ T
  • IKP08N65H5XKSA1 Pirkt
  • IKP08N65H5XKSA1 Izplatītājs
  • IKP08N65H5XKSA1 PDF
  • IKP08N65H5XKSA1 Komponents
  • IKP08N65H5XKSA1 IC
  • IKP08N65H5XKSA1 Lejupielādēt PDF failu
  • IKP08N65H5XKSA1 Lejupielādēt datu lapu
  • IKP08N65H5XKSA1 Piegāde
  • IKP08N65H5XKSA1 Piegādātājs
  • IKP08N65H5XKSA1 Cena
  • IKP08N65H5XKSA1 Datu lapas
  • IKP08N65H5XKSA1 Attēls
  • IKP08N65H5XKSA1 Bilde
  • IKP08N65H5XKSA1 Inventarizācija
  • IKP08N65H5XKSA1 Krājumi
  • IKP08N65H5XKSA1 Oriģināls
  • IKP08N65H5XKSA1 Lētākais
  • IKP08N65H5XKSA1 Teicami
  • IKP08N65H5XKSA1 Bez svina
  • IKP08N65H5XKSA1 Specifikācija
  • IKP08N65H5XKSA1 Karstie piedāvājumi
  • IKP08N65H5XKSA1 Break cena
  • IKP08N65H5XKSA1 Tehniskie dati