IKD10N60RFAATMA1

Attēli ir tikai norādei

Specifikācijas

Kategorijas
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
20 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Reel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
150 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
RC
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP

Jaunākās atsauksmes

Takes 8 days to Japan. Good!

Works. Find the price of this product is very good

Works. Recommend

Long Service and Russia!

The timer is running. 10 PCS. Packed properly.

Saistītie atslēgvārdi IKD1

  • IKD10N60RFAATMA1 Integrēta
  • IKD10N60RFAATMA1 RoHS
  • IKD10N60RFAATMA1 PDF datu lapa
  • IKD10N60RFAATMA1 Datu lapas
  • IKD10N60RFAATMA1 Daļa. \ T
  • IKD10N60RFAATMA1 Pirkt
  • IKD10N60RFAATMA1 Izplatītājs
  • IKD10N60RFAATMA1 PDF
  • IKD10N60RFAATMA1 Komponents
  • IKD10N60RFAATMA1 IC
  • IKD10N60RFAATMA1 Lejupielādēt PDF failu
  • IKD10N60RFAATMA1 Lejupielādēt datu lapu
  • IKD10N60RFAATMA1 Piegāde
  • IKD10N60RFAATMA1 Piegādātājs
  • IKD10N60RFAATMA1 Cena
  • IKD10N60RFAATMA1 Datu lapas
  • IKD10N60RFAATMA1 Attēls
  • IKD10N60RFAATMA1 Bilde
  • IKD10N60RFAATMA1 Inventarizācija
  • IKD10N60RFAATMA1 Krājumi
  • IKD10N60RFAATMA1 Oriģināls
  • IKD10N60RFAATMA1 Lētākais
  • IKD10N60RFAATMA1 Teicami
  • IKD10N60RFAATMA1 Bez svina
  • IKD10N60RFAATMA1 Specifikācija
  • IKD10N60RFAATMA1 Karstie piedāvājumi
  • IKD10N60RFAATMA1 Break cena
  • IKD10N60RFAATMA1 Tehniskie dati