IKD04N60RFAATMA1

Attēli ir tikai norādei

Specifikācijas

Kategorijas
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
8 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Reel
Part # Aliases
Pd - Power Dissipation
75 W
Product Type
IGBT Transistors
Series
RC
Technology
SI
Tradename
TRENCHSTOP

Jaunākās atsauksmes

My package arrived wet, not know where occurs this fact, but working all right

packed pretty good, all is ok,-seller.

High Quality driver, works excellent. It came to Moscow for 7 days.

Goods came in two weeks. Well packed. Track number tracked

The timer is running. 10 PCS. Packed properly.

Saistītie atslēgvārdi IKD0

  • IKD04N60RFAATMA1 Integrēta
  • IKD04N60RFAATMA1 RoHS
  • IKD04N60RFAATMA1 PDF datu lapa
  • IKD04N60RFAATMA1 Datu lapas
  • IKD04N60RFAATMA1 Daļa. \ T
  • IKD04N60RFAATMA1 Pirkt
  • IKD04N60RFAATMA1 Izplatītājs
  • IKD04N60RFAATMA1 PDF
  • IKD04N60RFAATMA1 Komponents
  • IKD04N60RFAATMA1 IC
  • IKD04N60RFAATMA1 Lejupielādēt PDF failu
  • IKD04N60RFAATMA1 Lejupielādēt datu lapu
  • IKD04N60RFAATMA1 Piegāde
  • IKD04N60RFAATMA1 Piegādātājs
  • IKD04N60RFAATMA1 Cena
  • IKD04N60RFAATMA1 Datu lapas
  • IKD04N60RFAATMA1 Attēls
  • IKD04N60RFAATMA1 Bilde
  • IKD04N60RFAATMA1 Inventarizācija
  • IKD04N60RFAATMA1 Krājumi
  • IKD04N60RFAATMA1 Oriģināls
  • IKD04N60RFAATMA1 Lētākais
  • IKD04N60RFAATMA1 Teicami
  • IKD04N60RFAATMA1 Bez svina
  • IKD04N60RFAATMA1 Specifikācija
  • IKD04N60RFAATMA1 Karstie piedāvājumi
  • IKD04N60RFAATMA1 Break cena
  • IKD04N60RFAATMA1 Tehniskie dati